儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能数据和功率密度

　　英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳（BiC）功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。

由于具有最低的导通电阻（RDS（on）），这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳（Junction to Case （RthJC）） 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷（Qrr）通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。

这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外，随着额定温度的增加，安全工作区域（SAO）亦改善了20%。

这些BiC MOSFET具有出色的性能数据，非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。