新款2.5A IGBT和MOSFET驱动器 可替代能源高压应用

器件最高输出电流2.5 A，适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用

Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。

日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使其成为直接驱动1200 V / 100 A额定值IGBT的理想选择。

器件高隔离电压分别为VIORM = 891 V，VIOTM = 6000 V，可用于电机驱动器、太阳能逆变器、开关电源 （SMPS）、感应炉面、不间断电源 （UPS） 电流隔离。此外，其欠压锁定 （UVLO） 功能避免IGBT / MOSFET发生故障，最低35 kV/μs共模瞬变抑制能力有助于消除PCB高压到低压区域噪声问题。

光耦最大传播延迟为0.5 µs，极为适于要求快速开关的应用。器件符合RoHS标准，可在15 V至30 V电源电压和-40 °C至+105 °C工业温度下工作。

VOD3120现可提供样品并已实现量产，供货周期为六周。