UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

2019年3月19日，美国加州Anaheim应用电源电子会议（APEC），美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，由此可制造出速度极快，基于共源共栅的20～100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650～1700V，可帮助实现简化的启动方案，具有零待机功耗，是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择，其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。

控制器IC制造商可受益于较小的晶片尺寸，并具有极低RDS（ON）和电容。常导通型JFET在与控制器IC中集成的低Qg低压MOSFET配合使用时，有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。

SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力，使SiC共源共栅在实用中非常稳健。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串联连接，常导通型JFET的源极电压在JFET关断之前升至12V，IC开始切换。经过JFET的电流路径可以用作控制器IC的启动电源。在转换器开始工作后，来自转换器变压器的辅助电源被门控（gated-in），没有进一步的功率损耗。

典型的低功率反激式应用包括笔记本电脑和移动设备充电器（20～65 W）等消费类电子辅助设备，其他应用还包括工业应用（如电机驱动）的宽输入（高达1400V）反激辅助电源，以及长LED串等高功率照明应用。

UnitedSiC首席执行官Chris Dries表示：“随着这些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC现在已经位居业内拥有最广泛SiC功率产品组合厂商之列，我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能JFET功能。”

供货信息

目前仅有UnitedSiC能够提供七种晶片可供选择，电压额定值为从650～1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具备三种尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于实现共同封装。

　　APEC 2019

　　美国加州Anaheim，2019年3月17-21日

　　332展位