CGD和QORVO将彻底改变电机控制解决方案
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
2024年11月12日 英国剑桥- 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD今日与全球领先的连接和电源解决方案提供商Qorvo® (纳斯达克股票代码: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN®评估套件（EVK），将行业领先的电机控制和能效技术整合在一起。该EVK具有Qorvo的高性能无刷直流（BLDC）/永磁同步（PMSM）电机控制器/驱动器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能，显著改善了电机控制应用。
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andrea BricConi | CGD首席营销官 “通过将我们两家技术强大的公司的行业领先解决方案结合到这款EVK中，我们能够开发出紧凑、节能、高功率密度的系统。与其他GaN器件不同，ICeGaN技术可以轻松地与Qorvo的PAC5556A电机控制IC实现无缝对接，在BLDC和PMSM应用中提高性能。” |
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JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理 “氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因凭借其更高的功率密度和效率优势而被积极用于各种电机控制应用中。CGD的 ICeGaN 产品提供了易用性和可靠性，这些是电机控制和驱动设计师关心的两个关键因素。当我们的客户在体验到CGD的ICeGaN与我们高度集成的PAC5556A 600V BLDC电机控制解决方案相结合的功率时，他们反应相当热烈。” |
通过采用CGD最新一代P2 IC，配备240 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK2评估套件在没有散热器的情况下实现了高达400W的峰值性能，而配备55 mΩ ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小气流冷却的情况下达到了800W的峰值。ICeGaN的效率实现了降低功耗和提高了电源可用性，并最大限度地降低了温度，从而实现了更小、更可靠的系统。由于ICeGaN集成了基本的电流感测和米勒箝位元件，因此简化了栅极驱动器设计，降低了BOM成本。这使得该解决方案易于实施、价格具有竞争力、性能也更高。
PAC5556A+CGD GaN EVK在低速时提供更高的扭矩和精确的控制，使其成为白色家电、吊扇、冰箱、压缩机和泵的理想选择。其目标市场包括工业和家庭自动化，特别是在需要紧凑、高效电机控制系统的应用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官网采购。CGD将在慕尼黑电子展的展台展出以上产品，展位号为C3-539。
