X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案

新IP将闪存与EEPROM元件相结合，增强数据保持能力，具备同类最佳的运行可靠性
 
中国北京，2024年12月5日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPROM。
 
通过采用独特的方法，将闪存和EEPROM元件都置于单个宏单元内，并共享必要的控制电路。这意味着使用更简单的布局从而减少组合元件的总体占用面积，并为支持Grade-0，175°C的32KBytes存储解决方案设定了新的行业基准。
 
该嵌入式闪存为客户带来市场上最先进的数据访问能力，能够在整个-40°C至175°C温度范围内读取数据，而EEPROM也能在高达175°C的温度下写入数据。EEPROM适用于需要频繁写入数据的应用，可提高闪存的耐用性与灵活性；它还可以有效地充当缓存，在工作条件不适合写入闪存时将数据编程至EEPROM，然后当温度降至125°C以下时再写入闪存。得益于出色的稳健性、持续的数据存储完整性和显著的空间节省，该IP旨在满足汽车、医疗和工业应用的需求。
 
这款新型NVM组合IP采用64位总线，闪存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，这使得集成该IP所部署的器件实现零PPM误差性能。用于轻松访问存储器和DFT的专用电路可大幅缩短测试时间，并将相关成本降至最低。如有需要，X-FAB还可提供BIST模块和测试服务。
 
“通过这款采用我们专有SONOS技术的新型NVM IP，X-FAB实现了最高水准的可靠性。这一IP将为我们客户的嵌入式系统提供一流的数据保持能力和温度稳定性。”X-FAB NVM开发总监Thomas Ramsch介绍说，“通过将闪存和EEPROM两种不同的NVM元件集成到单个宏单元上，我们现在可以构建一种能够应对最严苛的工作情况的嵌入式数据存储解决方案。”
 
“凭借更小的占用空间和更快的访问速度，我们的NVM组合IP将在高逻辑密度应用的开发中发挥关键作用。”X-FAB NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道，“这将使下一代智能传感器和执行器CPU系统设计无论是在ARM或RISC-V等成熟CPU架构上，还是在客户的专有设计中具备更广泛的功能范围。”
 
 
缩略语：
BCD       Bipolar-CMOS-DMOS ：双极型晶体管-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体
NVM             Non-Volatile-Memory：非易失性存储
BIST       Build-In Self-Test：内建自测试
DFT        Design for Testability：可测性设计
ECC        Error Checking and Correcting：错误检查和纠正
EEPROM       带电可擦可编程只读存储器
PPM              百万分率
SOI        绝缘体上硅
SONOS  Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅