Microchip新推出一系列SiC功率器件 具有良好耐用性以及宽带隙技术优势

随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可为客户提供更多选择。

汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。今日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性，以及宽带隙技术优势。它们将与Microchip各类单片机和模拟解决方案形成优势互补，加入Microchip不断壮大的SiC产品组合，满足电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。

Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基势垒二极管（SBD）将加入公司现有的SiC功率模块产品组合。该组合新增的超过35款分立器件产品均已实现量产，并通过了严格的耐用性测试，Microchip可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。Microchip目前提供额定电压、额定电流和各类封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。

Microchip分立器件和功率产品管理事业部高级副总裁Rich Simoncic说：“SiC技术的演变和应用已开始加速发展，Microchip深耕这一市场多年，一直致力于满足全球市场对SiC产品日益增长的需求，保持全球领先的位置。我们利用可靠的产品来构建产品组合，并提供强大的基础架构和供应链支持，以满足客户执行和调整产品开发计划的需求。”

Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高频高效地完成开关操作，并通过各级别的耐用性测试，这对于保障产品的长期可靠性至关重要。感应开关（UIS）耐用性测试（该项测试旨在衡量雪崩情形下，即电压峰值超过器件的击穿电压，器件的退化和过早失效性能）表明，Microchip SiC SBD性能比其他SiC二极管高出20%左右。另外，Microchip的SiC MOSFET在性能方面同样优于同类产品，其具有良好的栅氧化层防护能力和通道完整性，即使在经历10万次重复UIS（RUIS）测试后，其参数仍能维持在正常水平。

Microchip是全球仅有的能同时提供硅和SiC分立器件/模块解决方案的供应商之一。该公司的产品（包括外部充电站、车内充电器、直流-直流变换器和动力系统/牵引力控制解决方案）能很好的满足电动汽车系统日益增多的需求。新型SiC器件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。

供货

Microchip将为该SiC产品组合提供一系列支持，例如各类SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正（PFC）Vienna整流器的参考设计等。Microchip的所有SiC产品及其相关配件均已实现量产。另外，还有针对SiC MOSFET和SiC二极管制定的各种裸片和封装方案，可供客户选择。