ROHM 推出用于 GaN（氮化镓）器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”

　　ROHM 推出用于 GaN氮化镓器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”。最小栅极输入脉冲宽度为1.25纳秒，支持GaN器件的快速开关。

　　2023年9月，ROHM 发布了用于 GaN氮化镓器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”。同月开始量产，样品价格为每片900日元。

　　最小栅极输入脉冲宽度为1.25纳秒，支持GaN器件的快速开关。采用本公司独创的驱动方式，还具有抑制栅极输入波形过冲的功能。这可以防止 GaN 器件因输入过压而发生故障。

　　测试证实，与其他驱动器 IC 相比，降压和升压转换器在 1MHz 开关频率下具有更快的上升时间。此外，开关噪声也很低。

　　输入电源电压为4.5至5.5V，开启延迟时间为0.65 ns，关闭延迟时间为0.7 ns。工作温度范围为 -40 至 +125°C。除了提供 2.0 x 2.0 x 0.6 mm SSON 封装外，还计划推出更小的 WLCSP 版本。

　　预计主要应用是用于工业设备和基础设施监控的LiDAR驱动电路、用于数据中心的48V输入降压转换器电路以及用于便携式设备的无线供电电路。