Microchip的28纳米SuperFlash嵌入式闪存存储解决方案已投入生产

　　近日，GlobalFoundries和Microchip Technology宣布立即投入生产采用 GF 28SLPe 代工工艺的 SST ESF3 第三代嵌入式 SuperFlash 技术 NVM 解决方案。GlobalFoundries已为实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术建立了一个新的行业基准。

　　该实解决方案的功能和优势：

　　成本最低的 28 纳米 HKMG ESF3 解决方案，仅添加 10 个掩模，包括真正的 5V IO CMOS 器件

　　极具竞争力的 SST ESF3 位单元尺寸小于 0.05 平方微米

　　工作温度范围为?40°C 至 125°C

　　低于 25 纳秒 (ns) 的读取访问时间、10 微秒的编程时间和 4 毫秒的擦除时间

　　耐用性超过 100,000 次编程/擦除周期

　　使用 GF 28SLPe 平台认证 IPEG 流程不会影响设计流程

　　可立即获得四兆位Mb到32 Mb的现成宏模。

　　可获得来自SST或GF的定制宏模设计支持。

　　随着边缘智能程度的提高，嵌入式闪存的用例正在呈爆炸式增长。用于安全代码存储、无线更新和增强功能的嵌入式存储器在家庭和工业物联网以及智能移动设备的广泛应用中正在兴起。需要创新平台来满足这些需求。

　　GF 首席业务官 Mike Hogan 表示：“GF 很荣幸能够与 SST 合作，在我们强大的 28SLPe 平台上开发、鉴定这一令人印象深刻的嵌入式 NVM 解决方案，并将其投入生产。” “格芯的客户发现这种高性能、卓越的可靠性、IP 可用性和成本效益的结合非常适合消费和工业产品的高级 MCU、复杂智能卡和物联网芯片。”

　　“SST 和 GF 在过去十年中密切合作，将 SST 的行业标准 ESF1 和 ESF3 嵌入式闪存技术集成并产品化到 GF 的 130 纳米 BCD、55 纳米、40 纳米以及现在的 28 纳米代工平台中，”补充道Mark Reiten，Microchip 授权业务部门 SST 副总裁。“我们对格芯在最广泛的嵌入式 NVM 解决方案中建立的领导地位感到兴奋，并期望我们的密切合作关系在未来十年实现更多突破。”